N-kanals transistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanals transistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
38.37kr
5-24
33.45kr
25-49
29.55kr
50-99
26.23kr
100+
21.81kr
Antal i lager: 52

N-kanals transistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3000pF. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kostnad): 640pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 200W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 58 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3710S
29 parametrar
ID (T=100°C)
40A
ID (T=25°C)
57A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.025 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3000pF
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kostnad)
640pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
200W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
58 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
210 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier