N-kanals transistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanals transistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.52kr
5-24
19.76kr
25-49
17.55kr
50-99
15.82kr
100+
13.72kr
Antal i lager: 97

N-kanals transistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 23m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3230pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 420pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(av): 49 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3710
32 parametrar
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
57A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
23m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3230pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
420pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
200W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(av)
49 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
130 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier