N-kanals transistor IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms
Kvantitet
Enhetspris
1-4
49.56kr
5-9
35.81kr
10-19
33.75kr
20-49
32.43kr
50+
31.10kr
| +20 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 10 |
N-kanals transistor IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 150V. Resistans Rds På: 0.042 Ohms. : Förbättrad. Avgift: 133.3nC. Dräneringskälla spänning: 150V. Dräneringsström: 43A. Effekt: 200W. Förpackning: tubus. Grindspänning: ±20V. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 43A. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 06:37
IRF3415PBF
16 parametrar
Drain-source spänning (Vds)
150V
Resistans Rds På
0.042 Ohms
Förbättrad
Avgift
133.3nC
Dräneringskälla spänning
150V
Dräneringsström
43A
Effekt
200W
Förpackning
tubus
Grindspänning
±20V
Kanaltyp
N
Max dräneringsström
43A
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies