N-kanals transistor IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-kanals transistor IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
20.03kr
5-49
16.55kr
50-99
13.97kr
100+
12.55kr
Antal i lager: 83

N-kanals transistor IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 108A. Kanaltyp: N. Kostnad): 300pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 136W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 49 ns. Td(på): 9.6 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 174 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3315
29 parametrar
ID (T=100°C)
19A
ID (T=25°C)
27A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.07 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1300pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
108A
Kanaltyp
N
Kostnad)
300pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
136W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
49 ns
Td(på)
9.6 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
174 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier