N-kanals transistor IRF3205S, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3247pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Ekvivalenta: IRF3205SPBF. Funktion: "Avancerad processteknik". G-S Skydd: nej. IDss (min): 25nA. Id(imp): 390A. Kanaltyp: N. Kostnad): 781pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 200W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00