N-kanals transistor IRF3205, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRF3205, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.61kr
5-9
20.47kr
10-24
18.61kr
25-49
16.92kr
50+
14.69kr
Antal i lager: 217

N-kanals transistor IRF3205, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3247pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: "Avancerad processteknik". G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 390A. Kanaltyp: N. Kostnad): 781pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF3205
30 parametrar
ID (T=100°C)
80A
ID (T=25°C)
110A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.008 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
3247pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
"Avancerad processteknik"
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
390A
Kanaltyp
N
Kostnad)
781pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
200W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
50 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
69 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier