N-kanals transistor IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

N-kanals transistor IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
49.04kr
5-24
43.40kr
25-49
36.63kr
50+
32.90kr
Antal i lager: 97

N-kanals transistor IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 7500pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 680A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 970pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: IRF2907Z. Pd (effektförlust, max): 330W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 97 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 41 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF2907Z
32 parametrar
ID (T=100°C)
60.4k Ohms
ID (T=25°C)
170A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.035 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
75V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
7500pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
680A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
970pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
IRF2907Z
Pd (effektförlust, max)
330W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
97 ns
Td(på)
19 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
41 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier