N-kanals transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

N-kanals transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
57.28kr
5-24
52.97kr
25-49
49.13kr
50-99
46.21kr
100+
41.14kr
Antal i lager: 7

N-kanals transistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 6320pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1020A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1980pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 290W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 48 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 27/10/2025, 04:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF2903ZS
28 parametrar
ID (T=100°C)
180A
ID (T=25°C)
260A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.019 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
6320pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
1020A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1980pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
290W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
48 ns
Td(på)
24 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier