N-kanals transistor IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

N-kanals transistor IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
22.04kr
5-24
18.85kr
25-49
16.70kr
50-99
14.88kr
100+
12.97kr
Antal i lager: 68

N-kanals transistor IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 13m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 75V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3850pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 280A. Kanaltyp: N. Kostnad): 610pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 230W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 49 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF2807
30 parametrar
ID (T=100°C)
43A
ID (T=25°C)
82A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
13m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
75V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
3850pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
280A
Kanaltyp
N
Kostnad)
610pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
230W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
49 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier