N-kanals transistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
30.62kr
5-24
25.95kr
25-49
22.76kr
50-99
20.69kr
100+
17.74kr
Antal i lager: 63

N-kanals transistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0037 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4780pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 600A. Kanaltyp: N. Kostnad): 770pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 230W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Td(av): 48 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

IRF1405ZPBF
31 parametrar
ID (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
150A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.0037 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4780pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
600A
Kanaltyp
N
Kostnad)
770pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
230W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Rds-on 0.0037 Ohms max
Td(av)
48 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
30 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies