N-kanals transistor IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
31.61kr
5-24
27.07kr
25-49
24.02kr
50-99
21.79kr
100+
18.73kr
Antal i lager: 95

N-kanals transistor IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0046 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 170nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 450mK/W. C(tum): 5480pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 133A. Effekt: 200W. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 680A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 1210pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 330W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(av): 130 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 88 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF1405
39 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
118A
ID (T=25°C)
169A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.0046 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
170nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
450mK/W
C(tum)
5480pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
133A
Effekt
200W
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
680A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
1210pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
330W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Rds-on 0.0046 Ohms max
Td(av)
130 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
88 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier