N-kanals transistor IRF1404Z, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-kanals transistor IRF1404Z, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
39.74kr
5-24
35.52kr
25-49
32.96kr
50-99
30.96kr
100+
27.67kr
Antal i lager: 65

N-kanals transistor IRF1404Z, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.7M Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4340pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 750A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1030pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 220W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 36ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF1404Z
30 parametrar
ID (T=100°C)
130A
ID (T=25°C)
190A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
2.7M Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4340pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
750A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1030pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
220W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
36ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
28 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier