N-kanals transistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V

N-kanals transistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
58.98kr
5-9
52.16kr
10-24
47.49kr
25-49
44.73kr
50+
39.82kr
Antal i lager: 15

N-kanals transistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 2.7M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4340pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 750A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1030pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 220W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 36ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF1404S
30 parametrar
ID (T=100°C)
130A
ID (T=25°C)
190A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
2.7M Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4340pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
750A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1030pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
220W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
36ns
Td(på)
18 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
28 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier