N-kanals transistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

N-kanals transistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
28.79kr
5-24
25.09kr
25-49
22.58kr
50-99
20.65kr
100+
18.16kr
+15 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 105

N-kanals transistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 3.5m Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 750mK/W. C(tum): 7360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 40V. Dräneringsström: 202A. Effekt: 200W. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 650A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 1680pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 72 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 71 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF1404
37 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
115A
ID (T=25°C)
162A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
3.5m Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
750mK/W
C(tum)
7360pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
40V
Dräneringsström
202A
Effekt
200W
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
650A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
1680pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
200W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
72 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
71 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier