N-kanals transistor IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2m Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 24V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 160nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 500mK/W. C(tum): 5790pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 24V. Dräneringsström: 353A. Effekt: 300W. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1412A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 3440pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 83 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 46 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00