N-kanals transistor IRF1310N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: nej. C(tum): 1900pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Kostnad): 450pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 160W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00