N-kanals transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223

N-kanals transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223

Kvantitet
Enhetspris
1-9
21.48kr
10-24
19.64kr
25-49
18.55kr
50-99
17.52kr
100+
15.45kr
Antal i lager: 21

N-kanals transistor IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. Resistans Rds På: 6m Ohms. Hölje (enligt datablad): PG-SOT223. Antal per fodral: 1. Driftstemperatur: -40...+150°C. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 6.9W. RoHS: ja. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
IPN70R600P7SATMA1
11 parametrar
Resistans Rds På
6m Ohms
Hölje (enligt datablad)
PG-SOT223
Antal per fodral
1
Driftstemperatur
-40...+150°C
Kanaltyp
N
Konditionering
rulla
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
6.9W
RoHS
ja
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies