N-kanals transistor IPI80N06S2-08, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 2860pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kostnad): 740pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 2N0608. Pd (effektförlust, max): 215W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Ultralågt motstånd. Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00