N-kanals transistor IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1900pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Kostnad): 760pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: PN03L06. Pd (effektförlust, max): 136W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 40 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: OptiMOS® Power-Transistor. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00