N-kanals transistor IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v
Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.39kr
5-24
13.27kr
25-49
11.95kr
50-99
10.98kr
100+
9.59kr
| Antal i lager: 5 |
N-kanals transistor IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.0058 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Spänning Vds(max): 30 v. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2400pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 350A. Kanaltyp: N. Kostnad): 920pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 050N03L. Pd (effektförlust, max): 68W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 25 ns. Td(på): 6.7 ns. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00
IPD050N03L-GATMA1
24 parametrar
ID (T=100°C)
50A
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.0058 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Spänning Vds(max)
30 v
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2400pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
350A
Kanaltyp
N
Kostnad)
920pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
050N03L
Pd (effektförlust, max)
68W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
25 ns
Td(på)
6.7 ns
Vgs(th) max.
2.2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies