N-kanals transistor IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 2.8m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 8000pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 400A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1700pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 034N06N. Pd (effektförlust, max): 167W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 63 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Trr-diod (Min.): 48 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00