N-kanals transistor IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kostnad): 610pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 2N0609. Pd (effektförlust, max): 190W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Ultralågt motstånd. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00