N-kanals transistor IPB80N03S4L-02, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: diod. C(tum): 7500pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1900pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 4N03L02. Pd (effektförlust, max): 136W. RoHS: ja. Spec info: Ultralågt motstånd. Td(av): 62 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00