N-kanals transistor IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Resistans Rds På: 2.1M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO263-7. Antal per fodral: 1. Driftstemperatur: -55...+175°C. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 214W. RoHS: ja. Teknik: OptiMOS Power. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00