N-kanals transistor IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.83 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 785pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: ID pulse 18A. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kostnad): 33pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 8R1K0CE. Obs: helt isolerat hus (2500VAC/60s). Pd (effektförlust, max): 32W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00