N-kanals transistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3. Spänning Vds(max): 650V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 440pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: ID pulse 19A. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 19A. Kanaltyp: N. Kostnad): 30pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 6R600E6. Obs: helt isolerat hus (2500VAC/60s). Pd (effektförlust, max): 28W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 58 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 23:00