N-kanals transistor IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Hölje (enligt datablad): TO-247N. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2330pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Effekt: 483W. Funktion: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 180A. Inbyggd diod: ja. Kanaltyp: N. Kollektor-emitterspänning: 1200V. Kollektorström: 80A. Kostnad): 185pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K40H1203. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Pd (effektförlust, max): 483W. RoHS: ja. Td(av): 290 ns. Td(på): 30 ns. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: IGBT transistor. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35