N-kanals transistor IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

N-kanals transistor IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
46.68kr
5-24
40.46kr
25-49
36.40kr
50-99
33.70kr
100+
29.96kr
Antal i lager: 87

N-kanals transistor IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 860pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: High Speed ​​​​IGBT i NPT-teknik. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 45A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 15A. Kostnad): 55pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.05V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: K15T60. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Td(av): 188 ns. Td(på): 17 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IKP15N60T
26 parametrar
Ic(T=100°C)
15A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220-3-1
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
860pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
High Speed ​​​​IGBT i NPT-teknik
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
4.1V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5.7V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
45A
Kanaltyp
N
Kollektorström
15A
Kostnad)
55pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.05V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
K15T60
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.5V
Pd (effektförlust, max)
130W
RoHS
ja
Td(av)
188 ns
Td(på)
17 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies