N-kanals transistor IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

N-kanals transistor IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
108.32kr
5-14
100.37kr
15-29
92.87kr
30+
86.01kr
Antal i lager: 17

N-kanals transistor IHW30N120R2, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2589pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Induktiv matlagning, mjuka växlingsapplikationer. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 90A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 60A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 77pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: H30R1202. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Pd (effektförlust, max): 390W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(av): 792 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IHW30N120R2
28 parametrar
Ic(T=100°C)
30A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C(tum)
2589pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
Induktiv matlagning, mjuka växlingsapplikationer
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
5.1V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6.4V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
90A
Kanaltyp
N
Kollektorström
60A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
77pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1.8V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
H30R1202
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.65V
Pd (effektförlust, max)
390W
RoHS
ja
Spec info
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Td(av)
792 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies