N-kanals transistor IHW20N135R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1360pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 60A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 43pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.85V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: H20PR5. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Pd (effektförlust, max): 288W. RoHS: ja. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(av): 235 ns. Teknik: TRENCHSTOP TM technology. Trr-diod (Min.): 50 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35