N-kanals transistor IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1500pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Inductive?cooking. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 60A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 55pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: H20R1353. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(av): 405 ns. Td(på): 335 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35