N-kanals transistor IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V

N-kanals transistor IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
75.76kr
5-14
70.90kr
15-29
65.82kr
30-59
61.71kr
60+
52.81kr
Antal i lager: 22

N-kanals transistor IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1165pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Induktiv matlagning. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 45A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 30A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 40pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.75V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: H15R1203. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.48V. Pd (effektförlust, max): 254W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(av): 300 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IHW15N120R3
28 parametrar
Ic(T=100°C)
15A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C(tum)
1165pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
Induktiv matlagning
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
5.1V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6.4V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
45A
Kanaltyp
N
Kollektorström
30A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
40pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1.75V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
H15R1203
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.48V
Pd (effektförlust, max)
254W
RoHS
ja
Spec info
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Td(av)
300 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies