N-kanals transistor IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 4620pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: Mycket låg VCEsat. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 225A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 140A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 240pF. Leveranstid: KB. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: G75H603. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Td(av): 265 ns. Td(på): 31 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35