N-kanals transistor HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v

N-kanals transistor HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.52kr
5-49
15.30kr
50-99
12.92kr
100+
11.52kr
Antal i lager: 95

N-kanals transistor HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 850pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Kostnad): 465pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 76121D. Pd (effektförlust, max): 75W. Port-/källspänning Vgs: 16V. Td(av): 45 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 58 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Intersil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

Teknisk dokumentation (PDF)
HUF76121D3S
29 parametrar
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.017 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-252AA )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
850pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Grindstyrning med logiknivå
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Kanaltyp
N
Kostnad)
465pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
76121D
Pd (effektförlust, max)
75W
Port-/källspänning Vgs
16V
Td(av)
45 ns
Td(på)
6 ns
Teknik
UltraFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
58 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Intersil