N-kanals transistor HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanals transistor HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
41.43kr
5-24
36.02kr
25-49
32.54kr
50+
29.44kr
Antal i lager: 48

N-kanals transistor HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3790pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: UltraFET Power MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 430A. Kanaltyp: N. Kostnad): 810pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 75645 P. Pd (effektförlust, max): 310W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 41 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 145 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

HUF75645P3
31 parametrar
ID (T=100°C)
65A
ID (T=25°C)
75A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.0115 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3790pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
UltraFET Power MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
430A
Kanaltyp
N
Kostnad)
810pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
75645 P
Pd (effektförlust, max)
310W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
41 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
UltraFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
145 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild