N-kanals transistor HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V

N-kanals transistor HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.37kr
5-49
9.02kr
50-99
7.62kr
100+
6.79kr
Antal i lager: 108

N-kanals transistor HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 250pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Kostnad): 100pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 75307D. Pd (effektförlust, max): 35W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Harris. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

Teknisk dokumentation (PDF)
HUF75307D3S
28 parametrar
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.09 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-252AA )
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
250pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Kanaltyp
N
Kostnad)
100pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
75307D
Pd (effektförlust, max)
35W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
35 ns
Td(på)
7 ns
Teknik
UltraFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
45 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Harris