N-kanals transistor HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 40A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 25A. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 5N120BND. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Td(av): 182 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19