N-kanals transistor HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V
| +163 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Antal i lager: 30 |
N-kanals transistor HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): -. Ic(T=100°C): 23A. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 54A. Collector Peak Current IP [A]: 96A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.6V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 96A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Kanaltyp: N. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Kollektorström: 54A. Komponentfamilj: IGBT transistor. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 167W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 12N60A4D. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Pd (effektförlust, max): 167W. Produktionsdatum: 2014/17. RoHS: ja. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Td(av): 96 ns. Td(på): 17 ns. Tillverkarens märkning: 12N60A4D. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19