N-kanals transistor GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Hölje: TO-3P( N )IS. Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Ic(puls): 100A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 37A. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Td(av): 0.51 ns. Td(på): 0.33 ns. Temperatur: +150°C. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19