N-kanals transistor GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P( GCE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+150°C. Funktion: "Strömresonansväxelriktaromkoppling". Germanium diod: nej. Ic(puls): 100A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 30A. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Td(av): 400 ns. Td(på): 30 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19