N-kanals transistor FZ1200R12HP4, 1200A, andra, andra, 1200V

N-kanals transistor FZ1200R12HP4, 1200A, andra, andra, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-1
7859.06kr
2-4
6958.54kr
5-7
6418.23kr
8-14
5963.25kr
15+
5273.53kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 8

N-kanals transistor FZ1200R12HP4, 1200A, andra, andra, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Hölje: andra. Hölje (enligt datablad): andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 7. C(tum): 74pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+125°C. Framspänning Vf (min): 1.8V. Funktion: ICRM--Tp=1mS 2400A. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 2400A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 1790A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Pd (effektförlust, max): 7150W. RoHS: nej. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Td(av): 0.92 ns. Td(på): 0.41 ns. Tröskelspänning Vf (max): 2.35V. Originalprodukt från tillverkaren: Eupec/infineon. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:25

Teknisk dokumentation (PDF)
FZ1200R12HP4
25 parametrar
Ic(T=100°C)
1200A
Hölje
andra
Hölje (enligt datablad)
andra
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1200V
Antal terminaler
7
C(tum)
74pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-40...+125°C
Framspänning Vf (min)
1.8V
Funktion
ICRM--Tp=1mS 2400A
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
5.8V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
2400A
Kanaltyp
N
Kollektorström
1790A
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.7V
Pd (effektförlust, max)
7150W
RoHS
nej
Spec info
VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C)
Td(av)
0.92 ns
Td(på)
0.41 ns
Tröskelspänning Vf (max)
2.35V
Originalprodukt från tillverkaren
Eupec/infineon