N-kanals transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V

N-kanals transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
66.77kr
5-9
61.82kr
10-24
57.78kr
25-49
54.51kr
50+
49.44kr
Antal i lager: 4

N-kanals transistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 1.54 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Spänning Vds(max): 900V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1380pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: HIGH-SPEED SW.. G-S Skydd: ja. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 21A. Kanaltyp: N. Kostnad): 140pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 40W. Td(av): 180 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Mitsubishi Electric Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

Teknisk dokumentation (PDF)
FS7KM-18A
27 parametrar
ID (T=25°C)
7A
Idss (max)
1mA
Resistans Rds På
1.54 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220FN
Spänning Vds(max)
900V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
1380pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
HIGH-SPEED SW.
G-S Skydd
ja
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
21A
Kanaltyp
N
Kostnad)
140pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
40W
Td(av)
180 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
Power MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Mitsubishi Electric Semiconductor