N-kanals transistor FS75R12KE3GBOSA1, 75A, andra, andra, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: andra. Hölje (enligt datablad): andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 35. C(tum): 5300pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -40...+125°C. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 150A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 100A. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: FS75R12KE3G. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Mått: 122x62x17.5mm. Obs: 6x IGBT+ CE Diode. Pd (effektförlust, max): 355W. RoHS: ja. Td(av): 42us. Td(på): 26us. Originalprodukt från tillverkaren: Eupec/infineon. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19