N-kanals transistor FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

N-kanals transistor FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.68kr
5-49
8.47kr
50-99
7.06kr
100+
6.38kr
Antal i lager: 29

N-kanals transistor FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 480pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Logisk nivå. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 68.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 175pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 38W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: låg grindladdning (typ 9.5nC). Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Trr-diod (Min.): 54 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

Teknisk dokumentation (PDF)
FQU20N06L
30 parametrar
ID (T=100°C)
10.9A
ID (T=25°C)
17.2A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.046 Ohms
Hölje
TO-251 ( I-Pak )
Hölje (enligt datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
480pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Logisk nivå
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
68.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
175pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
38W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
låg grindladdning (typ 9.5nC)
Td(av)
35 ns
Td(på)
10 ns
Teknik
QFET, Enhancement mode power MOSFET
Trr-diod (Min.)
54 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild