N-kanals transistor FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V

N-kanals transistor FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
32.24kr
5-24
30.97kr
25-49
27.13kr
50-99
24.48kr
100+
20.57kr
Antal i lager: 22

N-kanals transistor FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 9.3 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. C(tum): 130pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Kanaltyp: N. Kostnad): 19pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: FQT1N60C. Pd (effektförlust, max): 2.1W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 13 ns. Td(på): 7 ns. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19

FQT1N60CTF
25 parametrar
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
9.3 Ohms
Hölje
SOT-223 ( TO-226 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-223
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
4
C(tum)
130pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Kanaltyp
N
Kostnad)
19pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
FQT1N60C
Pd (effektförlust, max)
2.1W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
13 ns
Td(på)
7 ns
Trr-diod (Min.)
190 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor