N-kanals transistor FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.29 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 955pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kostnad): 100pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 59W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Produktionsdatum: 201432. RoHS: ja. Td(av): 65 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 690 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41