N-kanals transistor FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

N-kanals transistor FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
36.90kr
5-24
32.09kr
25-49
27.26kr
50+
24.85kr
Antal i lager: 3

N-kanals transistor FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 3170pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 212A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 1150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 62W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(av): 170 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET MOSFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQPF85N06
31 parametrar
ID (T=100°C)
37.5A
ID (T=25°C)
53A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.008 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
3170pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Snabb omkopplare, låg grindladdning 17nC, låg Crss 5,6pF
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
212A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
1150pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
62W
Port-/källspänning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(av)
170 ns
Td(på)
40 ns
Teknik
DMOS, QFET MOSFET
Trr-diod (Min.)
70 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild