N-kanals transistor FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

N-kanals transistor FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
60.00kr
5-24
58.13kr
25-49
55.31kr
50+
54.59kr
Antal i lager: 66

N-kanals transistor FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1290pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 26.4A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 120pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 56W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 40nC), låg Crss 10pF. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQPF7N80C
32 parametrar
ID (T=100°C)
4.2A
ID (T=25°C)
6.6A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
1.57 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
1290pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
26.4A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
120pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
56W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Låg grindladdning (typiskt 40nC), låg Crss 10pF
Td(av)
50 ns
Td(på)
35 ns
Teknik
DMOS, QFET
Trr-diod (Min.)
60 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild