N-kanals transistor FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

N-kanals transistor FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.13kr
5-24
20.05kr
25-49
17.74kr
50-99
15.77kr
100+
13.47kr
Antal i lager: 64

N-kanals transistor FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 543pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 13nC, låg Crss 5,5pF. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 12A. Kanaltyp: N. Kostnad): 54pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 39W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 22.5 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 642 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQPF3N80C
30 parametrar
ID (T=100°C)
1.9A
ID (T=25°C)
3A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
4 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
543pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Snabb switch, låg grindladdning 13nC, låg Crss 5,5pF
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
12A
Kanaltyp
N
Kostnad)
54pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
39W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
22.5 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
DMOS, QFET
Trr-diod (Min.)
642 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild