N-kanals transistor FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-kanals transistor FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.70kr
5-24
25.25kr
25-49
22.22kr
50-99
19.99kr
100+
16.41kr
Antal i lager: 97

N-kanals transistor FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 830pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 76A. Kanaltyp: N. Kostnad): 195pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 43W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 135 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Trr-diod (Min.): 208 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQPF19N20C
30 parametrar
ID (T=100°C)
12.1A
ID (T=25°C)
19A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.14 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
830pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) min.
2V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
76A
Kanaltyp
N
Kostnad)
195pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
43W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
135 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET)
Trr-diod (Min.)
208 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild